參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1155
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
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代理商： 2SK1155
2SK1155, 2SK1156
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source
breakdown voltage
2SK1155 V
(BR)DSS
450
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
2SK1156
500
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
30
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±
10
250
μ
A
μ
A
V
GS
=
±
25 V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
Zero gate voltage
drain current
2SK1155 I
DSS
—
—
2SK1156
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 2.5 A, V
GS
= 10 V *
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
2.0
—
3.0
V
Static Drain to source
on stateresistance
2SK1155 R
DS(on)
—
1.0
1.4
1
2SK1156
—
1.2
1.5
Forward transfer admittance
|yfs|
2.5
4.0
—
S
I
D
= 2.5 A, V
DS
= 10 V *
V
= 10 V, V
GS
= 0,
f = 1 MHz
1
Input capacitance
Ciss
—
640
—
pF
Output capacitance
Coss
—
160
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
20
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
—
10
—
ns
I
D
= 2.5 A, V
GS
= 10 V,
R
L
= 12
Rise time
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
25
—
ns
Turn-off delay time
—
50
—
ns
Fall time
—
30
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
0.95
—
V
I
F
= 5 A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note
1. Pulse test
t
rr
—
300
—
ns
I
F
= 5 A, V
= 0,
di
F
/dt = 100 A/
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1156 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1157 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1158 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1159 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
2SK1155(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK1155-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET
2SK1156 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET
2SK1156(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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