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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1153 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SK1153 |
2SK1153, 2SK1154
4
Power vs. Temperature Derating
60
40
20
0
C
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Maximum Safe Operation Area
50
1
10
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
20
0.5
0.01
100
D
D
0.05
0.1
10
3
30
300
5
2
0.2
Ta = 25°C
DCOpeaion(T
C
=25C
2SK1154
aeaislmted
byR
DS(on
10
μ
s
100
μ
s
Typical Output Characteristics
5
4
3
2
0
4
8
12
16
20
Pulse Test
1
D
D
V
GS
= 4 V
6 V
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
4.5 V
10 V
8 V
5.5 V
5 V
Typical Transfer Characteristics
4
3
2
1
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
5
D
D
V
= 10 V
Pulse Test
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
20
16
12
8
4
0
4
8
12
16
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
2 A
I
D
= 1 A
D
V
D
Pulse Test
3 A
50
20
10
5
0.5
0.2
0.5
1.0
2
10
Drain Current I
D
(A)
0.1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Pulse Test
15 V
V
GS
= 10 V
5
2
1.0
S
R
D
)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1154 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1155 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1156 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1157 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1158 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1153(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1153-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1154 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1154-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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