參數(shù)資料
型號： 2SK1152(L)
元件分類： JFETs
英文描述： 6 ohm, POWER, FET
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 8/11頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2SK1152(L)
2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 100A/
s, Ta = 25°C
VGS = 0
Pulse Test
Reverse Drain Current IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
1,000
500
100
50
20
10
200
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
1,000
100
10
1
0
1020
304050
Drain to Source Voltage VDS (V)
Capacitance
C
(pF)
Coss
Ciss
Crss
VGS = 0
f = 1 MHz
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
24
6
8
10
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
20
16
12
8
4
0
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
400 V
100 V
VDS
ID = 1.5 A
VGS
250 V
VDD = 400 V
250 V
100 V
Switching Characteristics
100
20
10
5
2
1
50
Switching
Time
t
(ns)
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2
5
Drain Current ID (A)
tf
VGS = 10 V VDD = 30 V
PW = 2
s, duty < 1%
td (on)
tr
td (off)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1151(L) 5.5 ohm, POWER, FET
2SK1152STL-E 1.5 A, 500 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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2SK1156-E 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK1155-E 5 A, 450 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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