參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1102-01M
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 10A條（?。﹟對(duì)218VAR
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SK1102-01M
2SK1167, 2SK1168
7
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Pulse Test
5 V, 10 V
VGS = 0, –10 V
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
θch–c (t) = γ
S(t) θch–c
θch–c = 1.25°C/W,T
C = 25°C
PDM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ S
(t)
TC = 25°C
0.01
0.05
0.02
0.2
0.1
0.5
1Shot
Pulse
D = 1
Vin Monitor
Vout Monitor
RL
50
Vin = 10 V
D.U.T
.
VDD = 30 V
.
Switching Time Test Circuit
Vin
10 %
90 %
10 %
td (on)
td (off)
tr
tf
Vout
10 %
Wavewforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1103O TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-236
2SK1103P Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1103Q TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1MA I(DSS) | TO-236
2SK1103R Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1104O TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-251VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SK1103 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET
2SK11030QL 功能描述:JFET N-CH 65V 20MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK1103O 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-236
2SK1103P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | TO-236
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