參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1058
元件分類： JFETs
英文描述： POWER, FET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 38K
代理商： 2SK1058
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
5
Drain to Source Saturation
Voltage vs. Drain Current
1.0
Drain Current ID (A)
2
0.5
0.2
5
1.0
2
5
10
0.1
0.5
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
0.2
0.1
10
T C
=
–25
°C
25
°C
75
°C
VGD = 0
Drain to Source Voltage vs.
Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage VGS (V)
8
4
2
010
4
6
8
10
0
2
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
ID = 1 A
5A
TC = 25°C
2A
Input Capacitance vs. Gate
Source Voltage
1000
500
200
100
Input
Capacitance
Ciss
(pF)
0–2
–4
–10
Gate to Source Voltage VGS (V)
–6
–8
VDS = 10 V
f = 1 MHz
Forward Transfer Admittance
vs. Frequency
3.0
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
10 k
30 k 100 k
300 k 1 M
10 M
Frequency f (Hz)
3 M
Forward
Transfer
Admittance
yfs
(S)
TC = 25°C
VDS = 10 V
ID = 2 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1057 POWER, FET
2SK105E 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2SK1070PIDTL-E 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK1070PICTL-E 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK1085-MR 3 A, 150 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數(shù)描述
2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK1059 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK1059-Z(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk
2SK105A 制造商:n/a 功能描述:2SK105 TO92 N9H1D
2SK1060 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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