參數(shù)資料
型號： 2SK1056
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 40K
代理商： 2SK1056
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
4
50
100
0
Case Temperature T
C
(°C)
150
50
C
Power vs. Temperature Derating
100
150
Maximum Safe Operation Area
D
D
10
20
50
1.0
2
5
100
10
20
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
5
500
0.5
200
0.2
I
D
max
(Continuous)
DCOpeaion(T
C
=25C
Ta = 25°C
PW=10m 1sho
PW=1s 1sho
2SK1056
2SK1057
2SK1058
Typical Output Characteristics
30
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
40
20
10
50
D
D
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 10 V
9
T
C
= 25°C
1
0
2
5
6
7
8
Pch = 100 W
4
Typical Transfer Characteristics
1.2
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
1.6
0.8
0.4
0
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
D
D
T
C
=–5C
7
V
DS
= 10 V
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1057 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1058 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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