參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1056-E
元件分類： JFETs
英文描述： 7 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SC-65, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 72K
代理商： 2SK1056-E
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
2SK1056
120
2SK1057
140
Drain to source voltage
2SK1058
VDSX
160
V
Gate to source voltage
VGSS
±15
V
Drain current
ID
7
A
Body to drain diode reverse drain current
IDR
7
A
Channel dissipation
Pch*
1
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. Value at TC = 25
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
2SK1056
120
2SK1057
140
Drain to source
breakdown voltage
2SK1058
V(BR)DSX
160
—
V
ID = 10 mA, VGS = –10 V
Gate to source breakdown voltage
V(BR)GSS
±15
—
V
IG =
±100 A, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
VGS(off)
0.15
—
1.45
V
ID = 100 mA, VDS = 10 V
Drain to source saturation voltage
VDS(sat)
—
12
V
ID = 7 A, VGD = 0 *
2
Forward transfer admittance
|yfs|
0.7
1.0
1.4
S
ID = 3 A, VDS = 10 V *
2
Input capacitance
Ciss
—
600
—
pF
Output capacitance
Coss
—
350
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
10
—
pF
VGS = –5 V, VDS = 10 V,
f = 1 MHz
Turn-on time
ton
—
180
—
ns
Turn-off time
toff
—
60
—
ns
VDD = 20 V, ID = 4 A
Note:
2. Pulse test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1058-E 7 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1058 POWER, FET
2SK1057 POWER, FET
2SK105E 20 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2SK1070PIDTL-E 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK1057 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET
2SK1057-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 140V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,140V,7A,TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 140V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
2SK1058 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 160V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK1059 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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