參數(shù)資料
型號: 2SK0664(2SK664)
英文描述: 小信號デバイス - 小信號FET - MOS FET
中文描述: 小信號デバイス-小信號場效應(yīng)管-場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 195K
代理商: 2SK0664(2SK664)
2SK0601
2
SJF00018BJD
R
DS(on)
T
a
Y
fs
V
GS
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
R
DS(on)
V
GS
P
D
T
a
I
D
V
DS
I
D
V
GS
T
a
(
°
C)
D
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20
40
60
80
160
120
100
140
0
Copper plate at the Drain is
more than 1 cm
2
in area,
1.7 mm in thickness.
V
DS
(V)
D
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
0
T
a
=
25
°
C
V
GS
=
5.5 V
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
V
GS
(V)
D
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
0
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
V
GS
(V)
600
500
400
300
200
100
0
1
2
3
4
5
6
0
Y
f
V
DS
=
15 V
f
=
1 kHz
T
a
=
25
°
C
V
DS
(V)
(
)
(
)
(
)
i
o
r
120
100
80
60
40
20
0
3
10
30
100
300
1
000
1
V
GS
=
0
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
(V)
D
)
6
5
4
3
2
1
0
4
8
12
16
20
0
T
a
=
75
°
C
I
D
=
500 mA
25
°
C
25
°
C
T
a
(
°
C)
D
)
6
5
4
3
2
1
0
50
25
0
25
50
75
I
D
=
500 mA
V
GS
=
5 V
10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK0665(2SK665) Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1065 High-Frequency General-Purpose Amp Applications
2SK1093 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1094 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
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2SK0665 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon MOS FETs
2SK0665(2SK665) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SK0665 (2SK665) - N-Channel MOS FET
2SK066500L 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK0665G0L 功能描述:MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件