參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK0663
廠(chǎng)商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： For Low-Frequency Amplification
中文描述： 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： 2SK0663
253
Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SK0663
(2SK663)
Silicon N-Channel Junction FET
unit: mm
For low-frequency amplification
For switching
I
Features
G
Low noise-figure (NF)
G
High gate to drain voltage V
GDO
G
S-mini type package, allowing downsizing of the sets and auto-
matic insertion through the tape/magazine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source voltage
Gate to Drain voltage
Gate to Source voltage
Drain current
Gate current
Allowable power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
DSX
V
GDO
V
GSO
I
D
I
G
P
D
T
j
T
stg
Ratings
55
55
55
30
10
150
125
55 to +125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Gate to Drain voltage
Gate to Source cut-off voltage
Mutual conductance
Input capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Noise figure
Symbol
I
DSS*
I
GSS
V
GDS
V
GSC
g
m
C
iss
C
rss
NF
Conditions
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
GS
=
30V, V
DS
= 0
I
G
= 100
μ
A, V
DS
= 0
V
DS
= 10V, I
D
= 10
μ
A
V
DS
= 10V, I
D
= 5mA, f = 1kHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0, R
g
= 100k
f = 100Hz
min
1
55
2.5
max
12
10
5
Unit
mA
nA
V
V
mS
pF
pF
dB
typ
80
7.5
6.5
1.9
2.5
Marking Symbol (Example): 2B
*
I
DSS
rank classification
Runk
I
DSS
(mA)
Marking Symbol
P
1 to 3
2BP
Q
2 to 6.5
2BQ
R
5 to 12
2BR
1: Source
2: Drain
3: Gate
EIAJ: SC-70
SMini3-G1 Package
2
±
1.3
±0.1
0.3
+0.1
2.0
±0.2
1
±
(
1
3
2
(0.65) (0.65)
0
±
0
±
0
0
+
–
0.15
+0.10
5
°
10
°
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK663 For Low-Frequency Amplification
2SK0664 For Switching
2SK664 For Switching
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2SK1006-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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