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參數資料
| 型號： | 2SJ77 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.5 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SJ77 |
2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79
Silicon P-Channel MOS FET
ADE-208-1179 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching
Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216
Features
Suitable for direct mounting
High forward transfer admittance
Excellent frequency response
Enhancement-mode
Outline
1
2
3
TO-220AB
1. Gate
2. Source
(Flange)
3. Drain
D
G
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ76 | 0.5 A, 140 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1014-01 | 12 A, 500 V, 0.74 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P |
| 2SK1017 | 20 A, 450 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1052 | 0.5 A, 450 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1056 | 7 A, 120 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SJ77-E | 功能描述:MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SJ77K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-220 |
| 2SJ78 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ78(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ78-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
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