參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ76-E
元件分類： JFETs
英文描述： 0.5 A, 140 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： 2SJ76-E
2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Value
Unit
2SJ76
–140
2SJ77
–160
2SJ78
–180
Drain to source voltage
2SJ79
VDSX
–200
V
Gate to source voltage
VGSS
±15
V
Drain current
ID
–500
mA
Body to drain diode reverse drain current
IDR
–500
mA
Pch
1.75
W
Channel dissipation
Pch
Note 1
30
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–45 to +150
°C
Note:
1. Value at Tc = 25
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
2SJ76
–140
—
V
2SJ77
–160
—
V
2SJ78
–180
—
V
Drain to source breakdown
voltage
2SJ79
V (BR) DSX
–200
—
V
VGS = 2 V, ID = –1 mA
Gate to source breakdown voltage
V (BR) GSS
±15
—
V
IG =
±10 A, VDS = 0
Gate to source cutoff voltage
VGS (on)
–0.2
—
–1.5
V
ID = –10 mA, VDS = –10 V
Note 2
Drain to source saturation voltage
VDS (sat)
—
–2.0
V
ID = –10 mA, VGS = 0
Note 2
Forward transfer admittance
|yfs|
20
35
—
mS
ID = –10 mA, VDS = –20 V
Note 2
Input capacitance
Ciss
—
120
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
4.8
—
pF
VDS = –10 V, ID = –10 mA,
f = 1 MHz
Note:
2. Pulse test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1033 20 A, 60 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F
2SK1053 1 A, 450 V, 4.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK1056-E 7 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1058-E 7 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK1058 POWER, FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ77 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 160V 0.5A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 160V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 160V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Box Bulk
2SJ77-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 0.5A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ77K 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 160V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-220
2SJ78 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET
2SJ78(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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