參數(shù)資料
型號(hào): 2SJ687-ZK-E1-AY
廠商: Renesas Electronics America
文件頁(yè)數(shù): 5/10頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH -20V -20A TO-252
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7 毫歐 @ 10A,4.5V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4400pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252(MP-3ZK)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: 2SJ687-ZK-E1-AYDKR