| 型號： | 2SJ649-AZ |
| 廠商： | Renesas Electronics America |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 20A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 48 毫歐 @ 10A，10V |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-220-3 隔離片 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | TO-220 隔離的標(biāo)片 |
| 包裝： | 散裝 |