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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ632 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 2 A, 60 V, 0.56 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | 2SJ632 |
2SJ632
No.7420-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
365
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
39
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
30
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
9
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
24
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
38
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
38
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--2A
9
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--2A
1.7
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--2A
1.7
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--2A, VGS=0
--0.84
--1.2
V
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
0V
--10V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --1A
RL=30
VDD= --30V
VOUT
2SJ632
VIN
D
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
ID -- VDS
IT05810
ID -- VGS
IT05811
0
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--1.0
--0.5
--1.0
--0.5
--1.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --10V
--2.0
--1.5
--3.0
--3.5
--2.5
--1.0
--0.5
0
--4.0
0
--1.0
--0.5
--2.0
--1.5
--3.0
--3.5
--2.5
--4.0
0
--2
--4
--6
700
750
800
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
--8
--20
--10
--12
--14
--16
--18
RDS(on) -- VGS
IT05812
VGS= --3.0V
--3.5V
--4.0V
--5.0V
--6.0V
--8.0V
--10.0V
Tc=
--25
°C
Tc=75
°C
25
°C
--25
°C
75
°C
25
°C
Tc=25
°C
ID= --1A
300
350
400
450
500
550
600
650
700
100
150
200
250
RDS(on) -- Tc
IT05813
--60
--20
--40
20
0
40
60
80
100
120
140
I D
= --
1A,
V GS
= --
10V
I D
= --
1A,
V GS
= --
4V
Case Temperature, Tc --
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ636 | 3000 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ636-TL | 3000 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ636 | 3000 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ648 | 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ660-TL | 26 A, 60 V, 0.094 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ632-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:Pch -60V -2A 360m@10V PCP(SC62) Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 2A SOT89 |
| 2SJ633 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:2SJ633 |
| 2SJ633-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 4A TO-251 |
| 2SJ634 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/ DC CONVERTER TRANSISTOR |
| 2SJ634-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET, P CH, 60V, 8A, TO-251 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 60V 8A TO-251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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