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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ613 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 20 V, 0.069 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SJ613 |
2SJ613
No.7296-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--10V, f=1MHz
680
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--10V, f=1MHz
115
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--10V, f=1MHz
80
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
12
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
88
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
62
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
63
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--6A
7.8
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--6A
1.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--4V, ID=--6A
1.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--6A, VGS=0
--0.89
--1.5
V
Switching Time Test Circuit
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --3A
RL=3.3
VDD= --10V
VOUT
2SJ613
VIN
0V
--4V
VIN
0--2
--1
--3
--4
--5
--6
20
40
80
60
100
140
120
160
0
20
40
60
80
100
120
140
0
--8
--7
--9
--10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- VGS
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
IT05002
0
--4
--6
--0.2
--2
0
--6
--4
--10
--8
--2
--0.5
--1.0
--0.8
--0.9
--0.1
--0.3
--0.4
--0.6
--0.7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VDS
Drain
Current,
I
D
-
A
IT05000
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
ID -- VGS
Drain
Current,
I
D
-
A
IT05001
Case Temperature, Tc --
°C
RDS(on) -- Tc
IT05003
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
--1.5V
--2.0V
--4.0V
VGS= --1.0V
--2.5V
--25
°C
Tc=75
°C
VDS= --10V
Tc=25
°C
ID=
--2A,
VGS
= --2.5V
ID=
--3A,
VGS
= --4.0V
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
ID= --2.0A
--3.0A
--3.5V
--3.0V
25
°C
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