參數(shù)資料
型號： 2SJ605-ZJ-AZ
元件分類： JFETs
英文描述： 65 A, 60 V, 0.031 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 84K
代理商： 2SJ605-ZJ-AZ
Data Sheet D14650EJ2V0DS
3
2SJ605
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
Tch - Channel Temperature - C
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
040
20
60
100
140
80
120
160
100
80
60
40
20
0
TC - Case Temperature - C
P
T
-Total
Power
Dissipation
-
W
0
80
20
40
60
100
140
120
160
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
120
100
80
60
40
20
0
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
–1
–0.1
–10
–100
–1000
–1
–10
–100
TC = 25C
Single Pulse
PW
=
10
s
100
s
1 ms
10
ms
DC
Power
Dissipation
Limited
R
DS(on)
Limited
ID(DC)
ID(pulse)
PW - Pulse Width - s
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
C
/W
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
10
100
Rth(ch-C) = 1.25C/W
Rth(ch-A) = 83.3C/W
!
相關PDF資料
PDF描述
2SJ606-ZJ 83 A, 60 V, 0.023 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SJ606 83 A, 60 V, 0.023 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SJ606-Z 83 A, 60 V, 0.023 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ606-ZJ-AZ 83 A, 60 V, 0.023 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SJ606-S 83 A, 60 V, 0.023 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ605-ZJ-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SJ606 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor
2SJ606-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -60V -83A 15m@10V TO220AB 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -60V -83A 15m@10V TO220AB Cut Tape 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -60V -83A 15m@10V TO220AB Bulk 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,60V,83A,12m ohm,TO-220AB 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
2SJ606-S 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ606-Z 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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