參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ598-AZ
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 12000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251
封裝： TO-251, MP-3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 154K
代理商： 2SJ598-AZ
Data Sheet D14656EJ4V0DS
3
2SJ598
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
TC - Case Temperature - C
P
T
-Total
Power
Dissipation
-
W
0
80
20
40
60
100
140
120
160
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
30
25
20
15
10
5
0
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
ID
-
Drain
Current
-
A
VDS - Drain to Source Voltage - V
–1
–10
–100
–0.1
–1
–10
TC = 25C
Single Pulse
–0.1
–100
Power
Dissipation
Limited
R
DS(on)
Limited
ID(DC)
ID(pulse) PW
=
10
s
100
s
1 ms
10
ms
DC
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TC - Case Temperature - C
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
040
20
60
100
140
80
120
160
100
80
60
40
20
0
PW - Pulse Width - s
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
C
/W
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
10
100
Rth(ch-C) = 5.43C/W
Rth(ch-A) = 125C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ598 12000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
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2SJ602-ZJ 20 A, 60 V, 0.107 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SJ602-S 20 A, 60 V, 0.107 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
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