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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ579 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1.2 A, 60 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PCP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 84K |
| 代理商： | 2SJ579 |
2SJ579
No.6384–3/4
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
5.0
3.0
1.0
2.0
2.5
3.5
4.0
4.5
0.5
1.5
--9
--10
VGS -- Qg
VDS=--10V
ID=--1.2A
IT01175
0
20
40
1.5
60
2.0
0.5
1.0
2.5
80
100
120
3.0
3.5
4.0
140
160
PD -- Tc
IT01177
A S O
100ms
DC
operation
Tc=25
°C
Single pulse
1ms
10ms
IDP=--4.8A
ID=--1.2A
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
23
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--0.1
--1.0
--10
--100
IT01176
≤10s
100
s
IT01171
--0.001
0.01
--0.1
--0.01
--1.0
23
5 7
23
5 7
23
5 7
23
5 7
10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
--10
VDS=--10V
75
°C
25°
C
Tc=-
-25
°C
IT01172
0--0.4
--0.3
--0.2
--0.1
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
IF -- VSD
VGS = 0
--25
°C
25
°C
Tc=75
°C
0
1.0
10
100
--10
--20
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--60
--30
--40
--50
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT01174
--0.1
1.0
--1.0
23
5
7
72
3
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
SW Time -- ID
VDD=--30V
VGS=--10V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT01173
0
20
40
0.2
60
0.4
0.6
80
100
120
0.8
1.0
1.6
1.2
1.4
140
160
PD -- Ta
IT01178
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Forward
Transfer
Admittance,
|
y
fs|–
S
Drain Current, ID –A
| yfs | - ID
Forward
Current,
I F
–A
Diode Forward Voltage, VSD –V
Switching
Time,
SW
Time
–
n
s
Drain Current, ID –A
Ciss,
Coss,
Crss
–
p
F
Drain-to-Source Voltage, VDS –V
Gate-to-Source
Voltage,
V
GS
–
V
Total Gate Charge, Qg – nC
Drain
Current
,I
D
–A
Drain-to-Source Voltage, VDS –V
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
–W
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
–W
Ambient Temperature, Ta – C
Case Temperature, Tc – C
Mounted
on
a
ceramic
board
(250mm
2
×0.8mm)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ583LS | 3.5 A, 250 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ595TP-FA | 6000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ595TP | 6000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ596(TP) | 8000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ596(TP-FA) | 8000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ580 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SJ580-TD-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| 2SJ583 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SJ583LS | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SJ584LS | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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