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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ550(L) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/12頁(yè) |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SJ550(L) |
2SJ550(L), 2SJ550(S)
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-633A (Z)
2nd. Edition
Jul. 1998
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 0.075 typ.
Low drive current.
4V gate drive devices.
High speed switching.
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
D
G
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ550(S) | |
| 2SJ551(L) | |
| 2SJ551(S) | |
| 2SJ552(L) | |
| 2SJ552(S) | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ550L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ550S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ550STL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-(1) T/R |
| 2SJ551 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
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