參數(shù)資料
型號： 2SJ505L-E
元件分類： JFETs
英文描述： 50 A, 60 V, 0.036 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, LDPAK-3
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 111K
代理商： 2SJ505L-E
2SJ505(L), 2SJ505(S)
Rev.5.00 Jun 05, 2006 page 5 of 8
Source to Drain Voltage
VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
250
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
Channel Temperature Tch (°C)
Repetitive
Avalanche
Energy
E
AR
(mJ)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
IAP = –50 A
VDD = –25 V
duty < 0.1 %
Rg
≥ 50
–100
0
–20
–40
–60
–80
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Pulse Test
–5 V
VGS = 0
–10 V
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
0
ID
VDS
IAP
V(BR)DSS
VDD
EAR =
L IAP
2
2
1
VDSS
VDSS – VDD
D.U.T
Rg
IAP
Monitor
VDS
Monitor
VDD
50
Vin
–15 V
L
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γs
(t)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
PDM
PW
T
D =
PW
T
θch – c (t) = γ s (t) θch – c
θch – c = 1.67°C/W, Tc = 25°C
相關PDF資料
PDF描述
2SJ505STL-E 50 A, 60 V, 0.036 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ517TR SMALL SIGNAL, FET
2SJ517TR SMALL SIGNAL, FET
2SJ517YYTR-E 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ522 5 A, 400 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ505S 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ505S-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-(1) Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) LDPAK(S)-(1)
2SJ505STL-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ506 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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