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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ466 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | SOCKET-DPDT,8-PIN SLIM |
| 中文描述： | 超高速開關應用 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SJ466 |
2SJ466
No.5491–3/4
40
0
30
50
60
20
10
20
0
60
40
Case Temperature, Tc – C
80
100
140
120
160
PD -- Tc
IT00689
td(off)
td(on)
tf
tr
VDD=--30V
VGS=--10V
SW Time -- ID
5
1000
100
2
2
5
7
7
2
3
3
10
--1.0
2
5
--10
2
3
3
3
5
5
7
7
--80
--40
0
40
80
120
160
0
10
20
30
40
50
60
RDS(on) -- Tc
ID=-18A, VGS=-4V
ID=--18A, VGS=--10V
0
--5
--10
--15
--20
--30
--25
100
2
3
5
5
1000
2
3
2
5
7
7
7
10000
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
--1.0
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
5
7
7
2
3
3
3
5
--10
2
5
--1.0
2
3
3
2
3
2
5
7
7
7
5
--10
--100
A S O
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
IDP=--140A
ID=--35A
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
IT00688
IT00685
IT00687
IT00686
DCopeaion
C
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
S
Drain Current, I
D
– A
D
D
Tc=25
°
C
Single pulse
S
O
D
Case Temperature, Tc – C
A
D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ471 | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ479 | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ479L | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ479S | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ485TP | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ466-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETP CH30V35AZP |
| 2SJ467 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SJ468 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SJ469 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO |
| 2SJ471 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
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