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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ451 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | 2SJ451 |
2SJ451
5
0
–10
–20
–30
–40
–50
100
30
10
3
1
0.3
0.1
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10
2
5
1
0.1
–0.01–0.02
0.2
0.5
–0.05 –0.1 –0.2
Drain Current I (A)
–0.5
–1
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
V = –10 V, V = –10 V
PW = 50
μ
s, duty < 1 %
S
μ
s
Switching Characteristics
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
V = 0
–5 V
Pulse Test
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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