參數(shù)資料
型號: 2SJ389
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述: 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性(P溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 64K
代理商: 2SJ389
2SJ389(L), 2SJ389(S)
4
40
30
20
10
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–200
–100
–20
–50
–10
–2
–1
–5
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25 °C
10μs
100μs
DCOpeaion(Tc=25°C
–20
–16
–12
–8
–4
0
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
–10 V
–5 V
–4.5 V
Pulse Test
V = –2.5 V
–3.5 V
–3 V
–4 V
–4
–8
–12
–16
–20
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SJ389(S) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA
2SJ389L 制造商:HITACHI-METALS 制造商全稱:Hitachi Metals, Ltd 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
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