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參數資料
| 型號： | 2SJ387S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SJ387S |
2SJ387(L), 2SJ387(S)
6
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
1000
200
500
100
20
50
10
di / dt = 20 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
0
–10
–20
–30
–40
–50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10000
2000
5000
1000
200
500
100
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
0
–10
–20
–30
–40
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
0
–4
–8
–12
–16
–20
–50
G
G
Dynamic Input Characteristics
20
40
60
80
100
DS
V
GS
V
V = –5 V
–10 V
–15 V
I = –10 A
V
DD
= –5 V
–10 V
–15 V
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
1000
200
500
100
20
50
10
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
d(off)
t
V = –4 V, V = –10 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ388 | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ388L | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ388S | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ389 | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ389L | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SJ387STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ388(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-251AA |
| 2SJ388(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-252AA |
| 2SJ388L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SJ388S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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