參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ384
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
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代理商： 2SJ384
2SJ384(L), 2SJ384(S)
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
–60
—
—
V
I
D
= –10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
—
—
V
I
G
= ±100 μA, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±10
μA
V
GS
= ±16 V, V
DS
= 0
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0
I
D
= –1 mA, V
DS
= –10 V
I
D
= –8 A
V
GS
= –10 V*
I
D
= –3 A
V
GS
= –2.5 V*
I
D
= –8 A
V
DS
= –10 V*
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
Zero gate voltage drain current I
DSS
Gate to source cutoff voltage
—
—
–250
μA
V
GS(off)
R
DS(on)
–0.5
—
–1.5
V
Static drain to source on state
resistance
—
0.07
0.01
1
—
0.12
0.19
1
Forward transfer admittance
|y
fs
|
8
14
—
S
1
Input capacitance
Ciss
—
2170
—
pF
Output capacitance
Coss
—
830
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
130
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
16
—
ns
I
D
= –8 A
V
GS
= –10 V
R
L
= 3.75
Rise time
—
75
—
ns
Turn-off delay time
—
360
—
ns
Fall time
—
180
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
–1.0
—
V
I
F
= –15 A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note
1. Pulse Test
t
rr
—
130
—
ns
I
= –15 A, V
= 0,
diF/dt = 50 A/μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ384L Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ384S Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
2SJ386 Silicon P-Channel MOS FET
2SJ387 Silicon P-Channel MOS FET
2SJ387L Silicon P-Channel MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ384(L 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA
2SJ384(L) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA
2SJ384(S) 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263AB
2SJ384L 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
2SJ384S 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:
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