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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ363 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SJ363 |
2SJ363
5
0
C
Drain to Source Voltage V (V)
–10
–20
–30
–40
–50
500
200
100
50
20
10
2
1
5
0.2
0.1
0.5
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
–0.05
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
100
20
50
10
2
5
1
V = –10 V
PW = 50 μs, duty < 1 %
tf
r
d(off)
t
d(on)
t
–5
–4
–3
–2
–1
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
–10 V
–5 V
V = 0
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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