參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ351
元件分類： JFETs
英文描述： POWER, FET
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 38K
代理商： 2SJ351
2SJ351, 2SJ352
6
Output
RL
Input
50
VDD =
–30V
.
PW = 50
s
duty ratio
= 1%
Switching Time Test Circuit
Input
Output
90%
10%
90%
ton
toff
Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ353 1500 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ353-AZ 1500 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ355-T1-AZ 2 A, 30 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ355-T2-AZ 2 A, 30 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ360 1000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ351(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SJ351-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ352 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube
2SJ352-E 功能描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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