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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ333 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SJ333 |
2SJ333(L), 2SJ333(S)
4
–1.0
–0.8
D
–0.6
–0.4
–0.2
0
–4
–8
12
–16
–20
Gate to Source Voltage V (V)
–1 A
–2 A
Pulse Test
I = –5 A
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
–100
–0.1
Drain Current I (A)
D
R
D
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
–0.3
–1
–3
–10
–30
–10 V
V = –4 V
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.40
0.32
0.24
0.16
0.08
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
V = –10 V
GS
V = –4 V
–2 A
–1 A
I = –5 A
I = –1 A
–2 A
–5 A
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
10
5
2
1
0.5
50
–10
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
Drain Current I (A)
F
f
–25 °C
75 °C
Tc = 25 °C
V = –10 V
Pulse Test
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ333S | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ337 | Very High-Speed Switching Applications |
| 2SJ339 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SJ340 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SJ350 | Silicon P-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ333(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-251AA |
| 2SJ333(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA |
| 2SJ333L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SJ333S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SJ334 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 60V 30A 3PIN SC-67 - Rail/Tube |
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