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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ318S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SJ318S |
2SJ318(L), 2SJ318(S)
5
0.4
0.32
0.24
0.16
0.08
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
S
R
D
R
V = –4 V
V = –10 V
Pulse Test
I = –5 A
–2 A
–1 A
–5 A
–2 A
–1 A
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
20
10
5
1
2
0.5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
F
Drain Current I (A)
Tc = 75 °C
25 °C
–25 °C
V = –10 V
Pulse Test
Foeward Transfer Admittance vs.
Drain Current
200
100
50
20
10
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
B
t
r
Reverse Drain Current I (A)
di / dt = 20 A / μs
V = 0
Ta = 25 °C
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ319L | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ319 | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ319S | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ320 | P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(用于超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的P溝道MOSFET) |
| 2SJ321 | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ319 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ319L | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ319L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SJ319L-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 3A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) |
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