參數資料
型號: 2SJ295
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述: 硅P通道MOS FET的性(P溝道MOSFET的)
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代理商: 2SJ295
2SJ295
4
60
0
100
50
150
Power vs. Temperature Derating
C
Case Temperature Tc (°C)
40
20
Maximum Safe Operation Area
–500
–300
–100
–30
–0.5
–3
–1
–0.1 –0.3
Drain to Source Voltage V ( V )
–1
–3
–10 –30
–100
D
D
10 s
μ
i me b R (o)
D
DCOpeaion(Tc=25C
μ
Ta = 25 °C
–10
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Pulse
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 3.57°C/W, T
C
= 25°C
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