參數(shù)資料
型號： 2SJ247
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SJ247
2SJ247
6
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–20
–16
–12
–8
–4
00
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Source to Drain Voltage V (V)
SD
R
D
Pulse Test
–5 V
–10 V
V = 0 V, 5 V
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Puse
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 3.13°C/W, T
C
= 25°C
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
–10 V
50
D.U.T
Vout Monitor
R
L
V
DD
=
Waveforms
Vin
Vout
t
d (on)
10%
t
r
t
f
10%
90%
90%
10%
90%
t
d (off)
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PDF描述
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