參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ246L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： SILICON P-CHANNEL MOS FET
中文描述： 硅P溝道MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 39K
代理商： 2SJ246L
200
100
50
20
10
–0.1 –0.2
Reverse Drain Current I (A)
–0.5
–1
–2
–5
–10
R
di/dt = 50 A/μs, Ta = 25°C
V = 0, Pulse test
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
r
10000
5000
2000
1000
500
200
100
0
–10
–20
–30
–40
–50
Drain to Source Voltage V (V)
C
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
Typical Capacitance vs. Drain to
Source Voltage
0
–20
–40
–60
–80
0
–8
–16
–24
–32
–40
Gate Charge Qg (nc)
D
D
V = –25 V
–10 V
0
–4
–8
–12
–16
–20
–100
V
GS
V
DS
I = –7 A
V = –10 V
–25 V
G
G
Dynamic Input Characteristics
500
200
100
50
20
10
5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
Drain Current I (A)
S
V = –10 V, PW = 2 μs,
V = –30 V, duty 1 %
td(on)
td(off)
tf
tr
Switching Characteristics
2SJ246 L , 2SJ246 S
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