參數(shù)資料
型號: 2SJ216
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述: 硅P通道MOS FET的性(P溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 4/5頁
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代理商: 2SJ216
2SJ216
4
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
–1,000
–100
–10
–0.1
–1
–10
–100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–300
–30
–3
–0.3
–3
–30
Ta = 25°C
10
μ
s
100
μ
s
1m
PW=10ms(1sho)
DCOpeaion
T
C
=25C
i imtedb RDS(on
–1
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.5°C/W, T
C
= 25°C
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