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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ201Y |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直| 12A條（?。﹟對247VAR |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | 2SJ201Y |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ202 | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
| 2SJ203 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2SJ204 | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
| 2SJ205 | P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
| 2SJ214(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ201-Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High-Power Amplifier Application |
| 2SJ201Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET P-CH 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
| 2SJ201-Y(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 200V 12A Rdson 0.625 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SJ202 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING |
| 2SJ202-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
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