參數(shù)資料
型號: 2SJ181
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon P-Channel MOS FET
中文描述: 硅P溝道場效應晶體管
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 46K
代理商: 2SJ181
2SJ181(L), 2SJ181(S)
6
0
–200
–400
–600
–800
0
Gate Charge Qg (nc)
D
D
0
–4
–8
–12
–16
–20
20
–1000
G
G
Dynamic Input Characteristics
4
8
12
16
DS
V
GS
V
I = –0.5 A
V = –100 V
–250 V
–400 V
V = –100 V
–250 V
–400 V
500
200
100
50
20
10
5
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
tf
r
d(off)
t
d(on)
t
V = –10 V, V = –30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SJ181(S) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 500MA I(D) | TO-252AA
2SJ181_11 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ181L 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET