參數(shù)資料
型號： 2SJ161
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SJ161
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
4
150
100
50
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Power vs. Temperature Derating
C
–20
–5
–1.0
–0.2
–20
–100
–500
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–10
–0.5
–5
–10
–50
–200
Ta = 25°C
DCOeain(T
C
=2°C
(–120 V, –0.83 A)
PW=1 m 1So)
I
D
max (Continuous)
(–14.3 V,
–7 A)
(–140 V, –0.71 A)
(–160 V, –0.63 A)
2SJ160
2SJ161
2SJ162
–2
–10
–20
–50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Output Characteristics
–8
–2
–10
–30
–40
T
C
= 25°C
0
–4
–6
–2
V
GS
= 0
D
D
–1 V
–3
–4
–5
–6
–7
–8
–9
Pch = 100 W
–1.0
–0.8
–2.0
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
–0.8
–0.2
–0.4
–1.2
–1.6
0
–0.4
–0.6
V
DS
= –10 V
7
T
C
=–5C
2
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PDF描述
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