參數(shù)資料
型號: 2SJ161-E
元件分類: JFETs
英文描述: 7 A, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: SC-65, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/6頁
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代理商: 2SJ161-E
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5
2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Silicon P Channel MOS FET
REJ03G0847-0200
(Previous: ADE-208-1182)
Rev.2.00
Sep 07, 2005
Description
Low frequency power amplifier
Complementary pair with 2SK1056, 2SK1057 and 2SK1058
Features
Good frequency characteristic
High speed switching
Wide area of safe operation
Enhancement-mode
Good complementary characteristics
Equipped with gate protection diodes
Suitable for audio power amplifier
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A
(Package name: TO-3P)
1. Gate
2. Source (Flange)
3. Drain
D
G
S
1
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ164O 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SJ166-A 100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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2SJ168(TE85L,F) 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ162 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ162-E 功能描述:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ163 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For General Switching
2SJ164 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching
2SJ165 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR