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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ130STL-E |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1 A, 300 V, 8.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | 2SJ130STL-E |
2SJ130(L), 2SJ130(S)
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7
–2.0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
0
Source to Drain Voltage
VSD
(V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
VGS = 0
Pulse Test
–5 V, –10 V
VGS = 0, 10 V
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
90%
10%
tf
Switching Time Test Circuit
Waveform
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γs
(t)
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
PDM
PW
T
D =
PW
T
θch – c (t) = γ s (t) θch – c
θch – c = 6.25°C/W, Tc = 25°C
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
–10 V
RL
Vout
Monitor
50
VDD
= –30 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SJ133 | 2 A, 60 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ133-Z-T1 | 2 A, 60 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ133-Z-T2 | 2 A, 60 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ133 | 2 A, 60 V, 1.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SJ132-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V -2A 400m@10V TO252 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Pch -30V -2A 400m@10V TO252 Bulk |
| 2SJ133 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MOS Field Effect Power Transistors |
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