參數(shù)資料
型號： 2SJ0582
英文描述： パワーデバイス － パワーMOS FET
中文描述： パワーデバイス-パワー場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： 2SJ0582
F-MOS FET
1
2SJ0582
P
F-MOS FET
I
I
I
T
C
=
25
°
C
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
U Type Package
Unit : mm
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
EAS
200
±
20
±
2
±
4
V
V
DC
A
A
*
10
mJ
T
C
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
P
D
10
W
1
T
ch
T
stg
150
°
C
°
C
55
～
+
150
* : L
=
5 mH, I
L
=
2 A, 1Pulse
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS(ON)
Y
fs
V
DSF
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(ON)
t
r
t
d(OFF)
t
f
R
th(ch-c)
R
th(ch-a)
V
DS
=
160 V, V
GS
=
0
V
GS
=±
20 V, V
DS
=
0
I
D
=
1 mA, V
GS
=
0
V
DS
=
25 V, I
D
=
1 mA
V
GS
=
10 V, I
D
=
1.0 A
V
DS
=
25 V, I
D
=
1.0 A
I
DR
=
2.0 A, V
GS
=
0
V
DS
=
20 V, V
GS
=
0, f
=
1 MHz
10
±
10
μ
A
μ
A
200
2.0
V
4.0
V
1.5
2.0
1.0
1.7
S
1.4
V
(
)
400
pF
(
)
55
(
)
25
(
)
V
DD
=
100 V, I
D
=
1.0 A
R
L
=
100
, V
GS
=
10 V
12
ns
15
(
)
50
25
12.5
°
C/W
°
C/W
125
I
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
: J0582
6.5±0.1
5.3±0.1
4.35±0.1
4.6±0.1
2.3±0.1
0.75±0.1
1
2
3
0.93±0.1
2
0
1
7
1
2.3±0.1
0.5±0.1
0.5±0.1
0.1±0.05
1.0±0.1
G
S
D
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