參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ0364GQ
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 200K
代理商： 2SJ0364GQ
Silicon Junction FETs (Small Signal)
1
Publication date: May 2008
SJF00054CED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SJ0364G
Silicon P-channel junction FET
For analog switch circuits
■ Features
Low ON resistance
Low-noise characteristics
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Gate-drain surrender voltage
VGDS
65
V
Drain current
ID
20
mA
Gate current
IG
10
mA
Power dissipation
PD
150
mW
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Gate-drain surrender voltage
VGDS
IG
= 10 A, V
DS
= 065
V
Drain-source current *
IDSS
VDS = 10 V, VGS = 0
0.6
6.0
mA
Gate-source cutoff current
IGSS
VGS = 30 V, VDS = 010
nA
Gate-source cutoff voltage
VGSC
VDS
= 10 V, I
D
= 10 A
1.5
3.5
V
Forward transfer admittance
Y
fs
VDS = 10 V, ID = 1 mA, f = 1 kHz
1.8
2.5
mS
Short-circuit forward transfer capacitance
Ciss
VDS = 10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
12
pF
(Common source)
Reverse transfer capacitance
Crss
4pF
(Common source)
Drain-source ON resistance
RDS(on)
VDS = 10 mV, VGS = 0
300
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. Observe precautions for handling. Electrostatic sensitive devices.
3. *: Rank classification
Rank
P
Q
R
IDSS (mA)
0.6 to 1.5
1.0 to 3.0
2.5 to 6.0
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
■ Package
Code
SMini3-F2
Pin Name
1: Source
2: Drain
3: Gate
■ Marking Symbol: 4M
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ0364R 20 mA, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SJ0674 100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SJ104-GR P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2SJ104 P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2SJ104-BL P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ0536 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET
2SJ053600L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ0536G0L 功能描述:MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ0582 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon P-channel power MOSFET
2SJ058200L 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2A U-G2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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