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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD999CM |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 30K |
| 代理商： | 2SD999CM |
2SD991(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
High voltage switching, igniter
Outline
TO-220AB
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
3000
(Typ)
150
(Typ)
1
2
3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
300
V
Collector to emitter voltage
300
V
Emitter to base voltage
7
V
Collector current
6
A
Collector peak current
10
A
Collector power dissipation
1
50
W
Junction temperature
150
°C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25°C.
Tstg
–55 to +150
°C
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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