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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD756A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SD756A |
2SD755, 2SD756, 2SD756A
4
Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
30
10
30
100
300
1,000
G
T
V
CE
= 12 V
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
C
o
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
1
3
10
30
100
0.5
1.0
2
5
10
20
50
f = 1 MHz
I
E
= 0
Area of Safe Operation
5
10
20
50
100
200
500
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
100
50
20
10
5
2
1
I
C
(max)
(DC Operation)
P =750mW
Ta = 25
°
C
(50 V, 15 mA)
(100 V, 6 mA)
2SD756
2SD755
2SD756A
(120 V, 5 mA)
(140 V, 4 mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD768 | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD768K | Silicon NPN Epitaxial |
| 2SD773 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SD773K3 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SD773K4 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 16V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD756AD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-226VAR |
| 2SD756-AD | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SD756D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |
| 2SD756E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |
| 2SD757 | 制造商:HITACHI 功能描述: 制造商:HITCHI 功能描述: |
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