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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD756 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 31K |
| 代理商： | 2SD756 |
2SD755, 2SD756, 2SD756A
3
0
50
100
150
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
750
500
250
Typical Output Characteristics
10
8
8
6
2
4
6
4
2
0
10
20
30
40
50
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
I
B
= 0
10
μ
A
Typical Transfer Characteristics
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
CE
= 12 V
Ta = 100
°
C 75 50 25
–25
0
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
Collector Current I
C
(mA)
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
10
30
0
200
400
600
800
1,000
1,200
D
F
V
CE
= 12 V
Ta = 100
°
C
75
50
25
0
–25
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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