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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD669A |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 2SD669A |
2SD669, 2SD669A
4
3.0
55
40
45
50
Typical Output Characteristecs
T
C
= 25
°
C
P
C
=20W
I
B
= 0
0.5 mA
1.0
1.5
2.0
2.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
20
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
50
40
30
C
C
Typical Transfer Characteristics
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
C
C
Base to emitter voltage V
BE
(V)
V
CE
= 5 V
T5
°
C
2
–
300
250
200
150
100
50
1
1
30
D
F
300
100
10
3
Collector current I
C
(mA)
1,000 3,000
DC Current Transfer Ratio
vs. Collector Current
V
CE
= 5 V
Ta = 75
°
C
–25
25
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
1
3
30
300
10
100
1,000
Collector to Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
Collector current I
C
(mA)
C
C
2
–25
T
C
5
°
C
I
C
= 10 I
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD669 | Silicon NPN Epitaxial(外延NPN晶體管) |
| 2SD716 | SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SD669A-B-AB3-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
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