型號: | 2SD2707 |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | General Purpose Transistor (50V, 0.15A) |
中文描述: | 通用晶體管(50V的0.15A) |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 87K |
代理商: | 2SD2707 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD2654 | General Purpose Transistor (50V, 0.15A) |
2SD288 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
2SD314 | PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE |
2SB508 | PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE |
2SD386 | NPN Triple Diffused Planar Type Silicon Transistor For Vertical Deflection Output of Television |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SD2707T2LV | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2707T2LW | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2719(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Darlington Trans.NPN 60V 0.8A hfe2000min |
2SD273 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 800V 5A 80W BEC |
2SD274 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 800V 5A 80W BEC |