參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2654VWTL
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 150MA I(C) | SOT-416
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 150毫安一（c）|的SOT - 416
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SD2654VWTL
2
Power Transistors
2SD2209
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
C
ob
— V
CB
I
C
— L
coil
Area of safe operation (ASO)
0
150
125
100
25
75
50
0
25
20
15
10
5
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(P
C
=1.3W)
(1)
(3)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
6
5
4
3
2
1
I
B
=2mA
T
C
=25C
1mA
0.75mA
0.5mA
0.15mA
0.1mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
10
1
0.1
0.03
0.3
3
I
C
/I
B
=250
T
C
=–25C
25C
100C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.1
100
10
1
0.3
3
30
I
C
/I
B
=250
T
C
=–25C
100C
25C
B
B
0.1
0.3
1
3
10
100
100000
10000
1000
300
3000
30000
V
CE
=3V
T
C
=100C
25C
–25C
Collector current I
C
(A)
F
F
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
1
3
10
30
100
0.1
100
10
1
0.3
3
30
Load inductance L
coil
(mH)
C
C
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
10ms
300ms
t=1ms
I
CP
I
C
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2228 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER
2SD2228D42 BJT
2SD2228D43 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD2228D44 BJT
2SD2228D45 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
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參數(shù)描述
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2SD2656FRAT106 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:UMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SD2656T106 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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