參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2621G
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： 2SD2621G
2SD2621G
2
SJC00410AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
IC VBE
hFE IC
Cob VCB
PC Ta
IC VCE
VCE(sat) IC
0
80
120
40
0
120
100
80
60
40
20
Ambient temperature T
a (°C)
Collector
power
dissipation
P
C
(mW
)
012
10
8
26
4
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Ta = 25
°C
IB
= 100 A
90
A
70
A
60
A
50
A
40
A
30
A
20
A
10
A
80
A
Collector-emitter voltage V
CE (V)
Collector
current
I
C
(m
A
)
0.1
1
10
100
1000
0.01
1
0.1
IC / IB
= 10
Ta = 85
°C
25
°C
25°C
Collector current I
C (mA)
Collector-emitter
saturation
voltage
V
CE(sat)
(V
)
0
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
0.4
1.4
0
120
100
80
60
40
20
VCE
= 10 V
Ta = 85
°C
25
°C
25°C
Base-emitter voltage V
BE (V)
Collector
current
I
C
(mA
)
1
10
100
0
1 000
800
600
400
200
VCE
= 10 V
Ta = 85
°C
25
°C
25°C
Collector current I
C (mA)
Forward
current
transfer
ratio
h
FE
040
10
30
20
1
10
f = 1 MHz
Ta = 25
°C
Collector-base voltage V
CB (V)
Collector
output
capacitance
(Common
base,
input
open
circuited)
C
ob
(pF)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2623T 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2623S 500 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD2627 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2633 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2621G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD262300L 功能描述:TRANS NPN AF AMP 20VCEO SMINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2623G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 500MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2624 制造商:SANYO 功能描述:NPN 800V 6A 10 to - TO-3PMLH Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSNPN800V0.06ATO-3PMLH 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT NPN 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PMLH
2SD2634-CA 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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