參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2605Q
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： MT4, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商： 2SD2605Q
1
Power Transistors
2SD2605
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
s Features
q
High collector to emitter VCEO
q
Allowing supply with the radial taping
s Absolute Maximum Ratings (T
C=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
200
150
6
3
2
20
2.0
150
–55 to +150
Unit
V
A
W
C
s Electrical Characteristics (T
C=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Base to emitter voltage
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
ICBO
IEBO
VCBO
VCEO
VEBO
hFE1
*
hFE2
VBE
VCE(sat)
fT
Conditions
VCB = 200V, IE = 0
VEB = 4V, IC = 0
IC = 50A, IE = 0
IC = 5mA, IB = 0
IE = 500A, IC = 0
VCE = 10V, IC = 150mA
VCE = 10V, IC = 400mA
IC = 500mA, IB = 50mA
VCE = 10V, IC = 0.5A, f = 1MHz
min
200
150
6
60
50
typ
20
max
50
240
1
Unit
A
V
MHz
TC=25°C
Ta=25
°C
Rank
Q
P
hFE1
60 to 140
100 to 240
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
MT4 Type Package
1.0
10.0
±0.2
0.55
±0.1
2.5
±0.2
2.5
±0.2
4.2
±0.2
13.0
±0.2
2.5
±0.2
18.0
±0.5
Solder
Dip
5.0
±0.1
2.25
±0.2
1.2
±0.1
0.65
±0.1
0.55
±0.1
C1.0
90
°
C1.0
123
1.05
±0.1
0.35
±0.1
*h
FE1 Rank classification
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2641 6 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2648 15 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2657KT146 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2663 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2SD2672T146 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2607FU6 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS DARLINGTON NPN 100V 8A 3-PIN(3+TAB) TO-220FN - Bulk 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN 100V 8A TO-220FN 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans Darlington NPN 100V 8A
2SD261 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92
2SD262 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 300V 12A 125W BEC
2SD2620G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
2SD2620J0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*