參數(shù)資料
型號： 2SD2592S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴(kuò)散NPN晶體管)
中文描述： 硅npn型三重擴(kuò)散（三倍擴(kuò)散npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： 2SD2592S
2SD2592L, 2SD2592S
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to Base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
Pc
Note1
300
V
Collector to Emitter voltage
300
V
Emitter to Base voltage
5
V
Collector current
0.15
A
Collector peak current
0.6
A
Collector power dissipation
10
W
Junction temperature
Tj
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
300
—
—
V
I
C
= 1mA, R
BE
=
∞
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
5
—
—
V
I
E
= 10mA, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
10
μ
A
μ
A
V
CB
= 300V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
V
CE
= 1.5V, I
C
= 20mA
V
CE
= 5V, I
C
= 100mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
Emitter cutoff current
—
—
10
DC current transfer ratio
60
—
200
DC current transfer ratio
60
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
1.0
Base to emitter saturation
voltage
V
BE(sat)
—
—
1.5
I
C
= 100mA, I
B
= 5mA
Gain bandwidth product
f
T
—
16
—
MHz
V
CE
= 1.5A, I
C
= 20mA
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PDF描述
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參數(shù)描述
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