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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2531 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-10R1A, SC-67, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | 2SD2531 |
2SD2531
2006-11-21
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
D
C
cu
rre
nt
gai
n
h
FE
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Col
lect
or
-e
m
itte
rs
a
tu
ra
tion
volta
g
e
V
CE
(s
a
t)
(
V
)
Time t (s)
Rth (t) – t
T
ran
si
en
tth
er
ma
lr
e
si
st
an
ce
R
th
(t)
(°
C
/W
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
20
IB = 10 mA
30
40
50
60
70
80
4
0
1
2
3
4
5
1
2
3
Common
emitter
Tc = 25°C
25
Tc = 100°C
4.0
0
Common
emitter
VCE = 5 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1.0
2.0
3.0
1000
10
0.03
25
Tc = 100°C
Common emitter
VCE = 1 V
0.1
0.3
1
3
10
30
50
100
300
500
25
Tc = 100°C
Common emitter
IC/IB = 20
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
100
0.01
10
3
(1) Ta = 25°C
(1) No heat sink
(2) Infinite heat sink
(2) Tc = 25°C
10
2
10
1
10
2
0.1
1
10
DC operation
Tc = 25°C
100 ms*
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
1 ms*
10 ms*
VCEO max
1 s*
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
10
0.1
1
3
10
30
100
0.3
0.5
1
3
5
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